英特尔存储业务回归，将联手软银合作开发功耗减半的AI存储芯片
注意了！科技圈刚刚投下一枚重磅炸弹：近日，日本软银集团与美国英特尔公司达成战略合作，共同开发一种颠覆性的低功耗人工智能存储芯片。这个名为“Saimemory”的项目，目标直指性能媲美当前主流高带宽存储器（HBM），但功耗暴降50%以上，预示AI硬件领域即将迎来一场深刻的能效变革。
据悉，双方已火速成立名为“Saimemory”的实体公司全力推进。调查显示，一家公司于2024年末更名为此，证实布局已悄然落地。Saimemory的核心使命是研发创新的堆叠式动态随机存取存储器（DRAM）技术，旨在成为当前AI服务器中HBM的强力替代者。尽管HBM性能卓越，但其高昂成本、巨大功耗和复杂工艺始终是行业痛点。Saimemory誓言打破僵局，在提供同等高带宽的同时，将能耗砍半甚至更低！
图丨该公司注册记录（来源：Alarmbox）
项目计划未来两年内完成原型芯片，2027年实现可行性演示，2030年前推向市场。软银作为关键投资者，已率先投入30亿日元，成为最大出资方。项目总成本预计达100亿日元，除英特尔和软银外，日本理化学研究所、新光电气工业等机构也可能加入投资与合作，并寻求国家资金支持。
当前，AI处理器（尤其是GPU）极度依赖HBM满足海量数据吞吐需求。HBM通过堆叠多层DRAM芯片和硅通孔技术实现高带宽，但成本高、工艺复杂、功耗发热严重。随着AI需求爆炸式增长，HBM产能紧张、价格高企，三星、SK海力士和美光三大供应商压力巨大。
Saimemory项目直指HBM的功耗与成本瓶颈。报道称，通过优化DRAM堆叠方式和内部连接结构，Saimemory旨在将AI运算中的瞬时数据处理功耗降至现有产品一半以下。若成功，这不仅可大幅降低AI数据中心运营成本，尤其在能源紧张的背景下，更能构建高效、绿色的AI基础设施。
对软银而言，此次合作战略意义重大。日经新闻指出，Saimemory产品一旦面市，软银将作为优先客户获得供应。软银计划将其用于筹建的AI学习数据中心，以实现高质量、低成本的AI运算服务，这无疑是其在AI浪潮中抢占竞争制高点的关键一步。
对英特尔来说，Saimemory项目标志着其在存储器领域的重要回归。英特尔在2022年退出Optane存储业务并出售NAND闪存业务，但保留了Optane相关技术和专利。尽管Saimemory专注DRAM，与Optane技术路径不同，但英特尔在先进封装、芯片堆叠等领域的技术积累将为研发提供强大支持。即便当前财务承压，这笔约7000万美元的投入对其战略布局而言仍物超所值。
图丨Intel Optane M10（来源：Intel）
有评论猜测这是否是“Optane 2.0”的延续。虽然两者技术基础不同——Optane优势在低延迟和持久性，AI推理更侧重带宽——但英特尔保留的先进存储技术和经验，可能为Saimemory带来间接裨益。Saimemory的研发侧重通过结构创新降低DRAM功耗，这与三星、NEO Semiconductor等公司聚焦3D堆叠提升容量的路径形成鲜明对比。
宏观来看，Saimemory项目也承载着日本重振半导体存储器产业的野心。日本企业曾在上世纪80年代占据全球DRAM市场70%份额，后因竞争逐渐式微。如今，在全球供应链安全与自主可控趋势下，日本政府正积极推动半导体复兴，计划到2030财年在半导体和AI领域投入超10万亿日元公共资金。Saimemory若成功，或将成为日本时隔20多年重返主流存储器市场的关键跳板。这场技术竞赛已打响，你准备好见证未来了吗？欢迎在评论区分享你的见解，并持续关注我们，获取更多前沿科技动态！
参考资料：
1.https://asia.nikkei.com/Business/Tech/Semiconductors/SoftBank-Intel-work-on-AI-memory-chips-that-use-half-as-much-power
2.https://www.theregister.com/2025/06/02/asian_tech_news_roundup/
运营/排版：何晨龙
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给大家验证了英特尔快速存储技术到底有没有用？
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