三星颠覆性突破！NAND闪存功耗暴降96%，能效革命引爆AI时代

三星颠覆性突破！NAND闪存功耗暴降96%，能效革命引爆AI时代

技术飞跃：三星NAND闪存实现96%功耗降低

你是否为设备续航和数据中心高能耗而烦恼？三星近日宣布，其研究团队在存储技术领域取得重大突破，成功开发出新型NAND闪存结构，可将功耗降低逾90%。这一成果将重塑AI数据中心、移动设备及其他存储芯片依赖型产品的未来。

据ETNews报道，三星先进技术研究院（SAIT）主导了这项超低功耗NAND闪存技术研发。创新融合铁电材料与氧化物半导体，研究成果已发表于顶级期刊《自然》，彰显技术权威。

NAND闪存作为非易失性存储介质，能在断电后长期保存数据，通过向存储单元注入电子实现写入。为提升密度，业界常堆叠更多存储层，但这加剧了读写能耗。在大规模数据中心、移动设备及物联网等多场景中，功耗已成关键瓶颈。

三星团队成功攻克难题。氧化物半导体原本因阈值电压不稳定而难以控制，但研究人员独辟蹊径，将其与铁电结构协同设计，化劣势为优势：铁电材料具备自维持电极化特性，无需持续供电即可保持状态。

得益于此，新架构实现了高达96%的功耗降幅。三星表示，该突破基于内部自主研发，由SAIT与半导体研究所的34名研究人员共同完成。

“我们已验证超低功耗NAND闪存的可行性。”三星电子SAIT研究员、本研究第一作者Yoo Si-jeong表示，“在AI生态中，存储器角色日益关键。我们将持续推进研究，实现技术商业化。”

三星正着力提升存储业务盈利，优化高附加值产品供应。这项技术将赋能AI、移动设备等多场景应用，开启能效新时代。你是否期待更低功耗的科技生活？快来评论区分享你的看法，并关注我们，获取最新科技前沿动态！

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